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異質(zhì)結(jié)（HIT）技術(shù)，看這一篇就夠了！
2021-09-02

異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池英文名稱縮寫(xiě)為HIT（Heterojunction with Intrinsic Thin-layer），中文名稱為本征薄膜異質(zhì)結(jié)電池。異質(zhì)結(jié)電池最早由日本三洋公司于1990年研發(fā)成功，并被注冊(cè)為商標(biāo)，后續(xù)進(jìn)入異質(zhì)結(jié)領(lǐng)域的企業(yè)為了避免專利糾紛而紛紛采用了不同的稱謂，比如HJT/ SHJ/ HDT等，雖然英文名稱和縮寫(xiě)略有差異，但是其含義都代表本征薄膜異質(zhì)結(jié)電池。


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       圖1.太陽(yáng)能電池分類

       資料來(lái)源：新型TCO材料在光伏行業(yè)的應(yīng)用前景 


HIT電池結(jié)構(gòu)



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圖2. HIT電池結(jié)構(gòu)圖

資料來(lái)源：HIT電池模擬計(jì)算的研究

HIT電池一般是以N型硅片為襯底，典型結(jié)構(gòu)如圖2所示：在正面依次為透明導(dǎo)電氧化物膜（簡(jiǎn)稱TCO）、P型非晶硅薄膜，和本征富氫非晶硅薄膜；在電池背面依次為T(mén)CO透明導(dǎo)電氧化物膜，N型非晶硅薄膜和本征非晶硅膜。

此外，HIT電池在制造工藝流程上也較為簡(jiǎn)潔，在以上提到的電池結(jié)構(gòu)中的薄膜都是通過(guò)沉積的方式形成，最后通過(guò)絲網(wǎng)印刷或者電鍍工藝在電池兩面制備金屬電極，再經(jīng)過(guò)低溫固化工藝，完成HIT電池的制造，如圖3所示。

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圖3. HIT電池結(jié)構(gòu)以及工藝流程圖

資料來(lái)源：CNKI




HIT電池生產(chǎn)工藝



相比于傳統(tǒng)的PERC電池生產(chǎn)工藝以及TOPCon電池工藝，HIT電池的工藝制程相對(duì)較短，只有四大環(huán)節(jié)，依次是清洗制絨、非晶硅沉積、TCO沉積、絲印固化。

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圖4. 三種量產(chǎn)電池工藝流程對(duì)比

資料來(lái)源：梅耶伯格，招商證券


1. 清洗制絨

與常規(guī)P型或者N型電池制造工藝類似，HIT電池也是以清洗制絨為電池制造的第一步，這一步驟的主要目的是清除N型襯底表面的油污和金屬雜質(zhì)，去除機(jī)械損傷層，形成金字塔絨面，陷光并減少表面反射。


2. 制備非晶硅薄膜

硅片在PECVD設(shè)備中制作鈍化膜和PN結(jié)。HIT電池高效率的根源在于本征非晶硅薄膜優(yōu)良的鈍化效果。由于晶硅襯底表面存在大量的懸掛鍵，光照激發(fā)的少數(shù)載流子到達(dá)表面后容易被懸掛鍵俘獲而復(fù)合，從而降低電池效率。此外，通過(guò)在硅片正面和背面沉積富氫的本征非晶硅薄膜，可以有效地將懸掛鍵氫化并降低表面缺陷，從而顯著提高少子壽命，增加開(kāi)路電壓，最終提高電池效率。

雖然每一層膜的厚度只有4-10nm，每1-2nm實(shí)現(xiàn)的功能和制備工藝卻大不相同，因此本征和摻雜非晶硅薄膜需要在多個(gè)腔體中完成，PECVD中需要導(dǎo)入多腔室沉積系統(tǒng)。

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圖5. HIT電池非晶硅薄膜PECVD工藝圖

資料來(lái)源：邁為股份，招商證券


3. 沉積金屬氧化物導(dǎo)電層（TCO）

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圖6. 鍍膜技術(shù)分類

資料來(lái)源：新型TCO材料在光伏行業(yè)的應(yīng)用前景


硅片沉積完非晶硅薄膜之后就進(jìn)入SPUTTER(磁控濺射)或者RPD（離子反應(yīng)鍍膜）設(shè)備，沉積透明金屬氧化物導(dǎo)電膜TCO。TCO縱向收集載流子并向電極傳輸。由于非晶硅層晶體呈無(wú)序結(jié)構(gòu)，電子與空穴遷徙率較低，且橫向?qū)щ娦暂^差，不利于光生載流子的收集。因此需要在正面摻雜層上方沉積一層75-80nm厚的TCO，用于縱向收集載流子并向電極傳輸，TCO同時(shí)可以減少光學(xué)反射。

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圖7.  SPUTTER磁控濺射原理圖

資料來(lái)源：新型TCO材料在光伏行業(yè)的應(yīng)用前景

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圖8. RPD離子反應(yīng)鍍膜原理圖

資料來(lái)源：新型TCO材料在光伏行業(yè)的應(yīng)用前景


TCO膜在可見(jiàn)光范圍內(nèi)（波長(zhǎng)380-760nm）具有80%以上的穿透率，且電阻很低，其成分主要為In、Sb、Zn、Sn、Cd及其氧化物的復(fù)合體。目前應(yīng)用最廣泛的是ITO，SCOT，IWO，AZO。TCO制備存在SPUTTER(磁控濺射)或者RPD（離子反應(yīng)鍍膜）兩種工藝，目前由于成本考慮大多選擇SPUTTER(磁控濺射)工藝。

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圖9. 磁控濺射工藝與RPD離子反應(yīng)鍍膜工藝對(duì)比

資料來(lái)源：CNKI


4. 絲印固化

HIT電池生產(chǎn)的最后一步是絲印固化，制備金屬電極并固化?？紤]到HIT是低溫工藝，不區(qū)分正銀和背銀，因此絲網(wǎng)印刷加低溫固化的工藝相對(duì)比較簡(jiǎn)單，但是這一特性的缺點(diǎn)之一就是價(jià)格較高且消耗量較大，因此目前業(yè)內(nèi)也有部分企業(yè)嘗試使用鍍銅工藝來(lái)制作電極。因?yàn)樵阱冦~工藝中不會(huì)使用到銀漿，成本較為低廉。但即便如此該工藝也并未被廣泛應(yīng)用，因?yàn)楣に嚪浅?fù)雜，且廢液排放存在嚴(yán)重的環(huán)保制約，使其推廣受到了限制。




HIT電池的優(yōu)勢(shì)



轉(zhuǎn)換效率高

HIT電池高轉(zhuǎn)換效率源于高開(kāi)路電壓，HIT電池的開(kāi)路電壓Voc可以接近750mV，而普通PERC電池則普遍低于700mV。

HIT電池的高開(kāi)路電壓來(lái)源于兩點(diǎn)：

  • 氫化本征非晶硅薄膜優(yōu)良的鈍化效果

  • 光生載流子可以貫穿氫化非晶硅薄膜，因此不需要激光開(kāi)膜和形成歐姆接觸，可以有效減少?gòu)?fù)合


由于多主柵技術(shù)和光致再生技術(shù)的導(dǎo)入，目前HIT的研發(fā)效率普遍已經(jīng)超過(guò)24%。

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圖10. 主流HIT制造商的效率數(shù)據(jù)

資料來(lái)源：NREL，招商證券


低衰減

由于HIT電池的特殊結(jié)構(gòu)，其衰減程度要顯著低于PERC電池：

  • HIT電池表面的TCO具有導(dǎo)電特性，電荷不會(huì)在表面產(chǎn)生極化現(xiàn)象，無(wú)電位誘導(dǎo)衰減PID；

  • N型硅片摻磷，沒(méi)有硼氧復(fù)合體和硼鐵復(fù)合體，光致衰減LID很小


據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，HIT電池的首年衰減和年均衰減均低于PERC電池，并得到電站發(fā)電實(shí)證。

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圖11. HIT與PERC電池衰減數(shù)據(jù)對(duì)比

資料來(lái)源：WIND，招商證券


低溫度系數(shù)

組件的溫度系數(shù)能夠衡量輸出功率隨溫度升高而下降的程度。陽(yáng)光照射下組件表面不斷升溫，電池的開(kāi)路電壓不斷下降，進(jìn)而導(dǎo)致輸出功率下降。HIT相較于其他類型電池，具備非常顯著的低溫度系數(shù)。

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圖12. 不同類型電池溫度系數(shù)對(duì)比

資料來(lái)源：CNKI


組件的初始標(biāo)稱功率是在STC標(biāo)準(zhǔn)條件下測(cè)試的，對(duì)應(yīng)溫度是25℃，但在實(shí)際運(yùn)營(yíng)中，組件的工作溫度多數(shù)時(shí)間在50℃左右，HIT低溫度系數(shù)帶來(lái)的發(fā)電量增益在3%，可溢價(jià)0.126元/瓦。

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圖13. HIT電池低溫度系數(shù)帶來(lái)發(fā)電增益數(shù)據(jù)

資料來(lái)源：WIND，招商證券


高雙面率

HIT電池雙面率較高。HIT電池正反面三層膜和TCO都是透光的，且結(jié)構(gòu)對(duì)稱，天然就是雙面電池，其雙面率可以輕松做到90%以上，甚至達(dá)到98%的水平。PERC電池雙面率可以做到80%-85%。



HIT技術(shù)市場(chǎng)現(xiàn)狀


目前布局HIT的企業(yè)越來(lái)越多，產(chǎn)業(yè)化醞釀開(kāi)啟。當(dāng)前全球最大HIT量產(chǎn)規(guī)模僅600MW，近兩年新建產(chǎn)線以100-200MW的中試線為主。相較于2019年，2020年已經(jīng)有超過(guò)20家企業(yè)宣布了GW級(jí)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，其中包括山煤國(guó)際，鈞石能源，東方日升，愛(ài)康科技，騰暉光伏，比太科技等。規(guī)?；约瓣P(guān)鍵設(shè)備國(guó)產(chǎn)化的突破，將成為HIT產(chǎn)業(yè)化的發(fā)令槍。

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